STE ICP: Плазмохимическое травление и осаждение Универсальная технологическая платформа STE ICP200 обеспечивает реализацию широкого спектра процессов плазмохимического травления и осаждения в емкостной, индуктивно-связанной и комбинированной плазме.
Глубокое травление SiC
• Рабочая среда: SF6/Ar/O2
Травление многослойных структур InGaAs/ AlGaAs
Анизотропное травление кремния (Bosch-процесс, low scallop)
Травление GaAs/AlGaAs структур
Плазмохимическое травление InAs
Плазмохимическое травление InP
Глубокое травление GaAs
Плазмохимическое травление Si3N4
Интерферометрический контроль скорости и глубины/ толщины плазмохимических процессов травления и осаждения
|
||||