Установка STE EB71 позволяет проводить электронно-лучевое напыление высококачественных тонкопленочных композиций в сверхвысоком вакууме.

В рамках технологического тестирования установки в Прикладной лаборатории АО «НТО» были выявлены её основные преимущества и разработаны некоторые технологические процессы:

 

 

• Неоднородность толщины наносимого материала менее ± 2% на диаметре держателя пластин (wafer holder) до 180мм при использовании специально разработанной технологии «маски»
• Возможность оптимизации расхода материла за счет изменения расстояния подложка-испаритель, в частности, расход золота составляет 3-4 г/мкм при скорости напыления 5 Å/сек и расстоянии испаритель-подложка 250мм 
• Значение контактного сопротивления для гетероструктур GaAs/InGaAs/AlGaAs и GaN/AlGaN мощных полевых транзисторов составляет 0.1÷0.25 Ом·мм и 0.3-0.5 Ом·мм, соответственно (после отжига в установке STE RTA100)
• Скорость напыления Al не менее 60 Å/сек.
• Скорость напыления W не менее 1 Å/сек.
• Разработана технология получения прозрачного p-контакта к GaN на основе тонких пленок ITO

 

Распределение неоднородности толщины от радиуса держателя диаметром 180мм (позволяет разместить 3 пластины диаметром 3 дюйма) для слоя Ti, полученного на установке STE EB71 (вращение, технология «маски»).