Создание компании АО «НТО» и регистрация бренда SemiTEq®

Реализация проектов по модернизации советских установок молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ)

Выпуск первой российской установки МЛЭ ЭПН3 для выращивания материалов А3N

Начало серийного выпуска установок МЛЭ на новой платформе STE3N для выращивания нитридов III группы

Разработка первых моделей установок плазмохимического травления (STE ICP), электронно-лучевого напыления (STE EB) и быстрого термического отжига (STE RTA)

Выпуск новой платформы МЛЭ STE35 для выращивания гетероструктур на основе материалов A3B5

На базе платформы STE35 изготовлен двухреакторный комплекс STE3526 для выращивания гибридных наногетероструктур А3В5/А2В6

АО «РОСНАНО» одобрен инфраструктурный проект АО «НТО». С целью технологического тестирования разрабатываемого оборудования создана Прикладная лаборатория

Реализован проект по экспортной поставке установки МЛЭ STE3N в г. Дели, Индия

Выпуск универсальной компактной платформы МЛЭ STE75, предназначенной для эпитаксии соединений A3B5, A2B6 и A3N. Первая установка поставлена в Университет Торонто, Канада

Выпуск первой установки магнетронного распыления STE MS150

Выпуск установки магнетронного распыления для групповой обработки пластин STE MS900

Выпуск модернизированной установки МЛЭ STE35 для выращивания материалов А3В5 на подложках до Ø100 мм с ростовой камерой новой конструкции

Выпуск платформы STE ICP200 нового поколения, а также модернизированных установок электронно-лучевого напыления STE EB71 и установок быстрого термического отжига STE RTA100

Разработка технологического оборудования в рамках реализации российской части научно-технической программы Союзного государства РФ и Республики Беларусь

Разработана установка МЛЭ STE35R, оснащенная сверхвысоковакуумным роботом-раздатчиком, для выращивания гетероструктур на основе GaAs для оптоэлектроники