>> 2001 |
 |
|
Создание компании АО «НТО» и регистрация бренда SemiTEq®
|
>> 2001-2003 |
|
Реализация проектов по модернизации советских установок молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ)
|
>> 2003 |
|
Выпуск первой российской установки МЛЭ ЭПН3 для выращивания материалов А3N
|
>> 2005 |
|
Начало серийного выпуска установок МЛЭ на новой платформе STE3N для выращивания нитридов III группы
|
>> 2007-2008 |
 |
|
Разработка первых моделей установок плазмохимического травления (STE ICP), электронно-лучевого напыления (STE EB) и быстрого термического отжига (STE RTA)
|
>> 2008 |
|
Выпуск новой платформы МЛЭ STE35 для выращивания гетероструктур на основе материалов A3B5
|
>> 2009 |
|
На базе платформы STE35 изготовлен двухреакторный комплекс STE3526 для выращивания гибридных наногетероструктур А3В5/А2В6
|
>> 2010-2011 |
|
АО «РОСНАНО» одобрен инфраструктурный проект АО «НТО». С целью технологического тестирования разрабатываемого оборудования создана Прикладная лаборатория
|
>> 2011 |
 |
|
Реализован проект по экспортной поставке установки МЛЭ STE3N в г. Дели, Индия
|
>> 2011-2012 |
|
Выпуск универсальной компактной платформы МЛЭ STE75, предназначенной для эпитаксии соединений A3B5, A2B6 и A3N. Первая установка поставлена в Университет Торонто, Канада
|
>> 2013 |
|
Выпуск первой установки магнетронного распыления STE MS150
|
>> 2014 |
|
Выпуск установки магнетронного распыления для групповой обработки пластин STE MS900
|
>> 2015 |
 |
|
Выпуск модернизированной установки МЛЭ STE35 для выращивания материалов А3В5 на подложках до Ø100 мм с ростовой камерой новой конструкции
|
>> 2015-2016 |
|
Выпуск платформы STE ICP200 нового поколения, а также модернизированных установок электронно-лучевого напыления STE EB71 и установок быстрого термического отжига STE RTA100
|
>> 2016-2019 |
|
Разработка технологического оборудования в рамках реализации российской части научно-технической программы Союзного государства РФ и Республики Беларусь
|
>> 2022 |
|
Разработана установка МЛЭ STE35R, оснащенная сверхвысоковакуумным роботом-раздатчиком, для выращивания гетероструктур на основе GaAs для оптоэлектроники
|