10–11 июня 2025 года в кампусе СберУниверситета прошла II научно-техническая конференция Союзного государства «Электронное машиностроение – 2025». АО «НТО» выступило официальным партнёром деловой программы+ и организатором научно-технической секции «Эпитаксиальное и физико-термическое оборудование». Модерировал секцию генеральный директор компании А.Н. Алексеев. В рамках мероприятия представители отрасли сделали обзор текущих разработок в области оборудования для молекулярно-лучевой и МОС-гидридной эпитаксии, а также оборудования для термического отжига.

В демо-зоне конференции АО «НТО» представило свои разработки помощнику Президента России, председателю Попечительского совета РНФ Андрею Фурсенко и генеральному директору Российского научного фонда Владимиру Беспалову. Особое внимание привлекла презентация передовых разработок компании, в том числе роботизированной установки молекулярно-лучевой эпитаксии для выращивания соединений InAlGaAs на монокристаллических подложках диаметром 100–150 мм. Установка оснащена современными системами автоматизации и контроля, что позволяет дополнительно повысить стабильность и однородность выращиваемых слоёв. 

Генеральный директор Российского научного фонда Владимир Беспалов особо отметил разработки АО «НТО», подчеркнув их значимость для развития отечественного электронного машиностроения и укрепления технологической независимости России.

По итогам конференции АО «НТО» отмечено дипломом партнёра и благодарностью организаторов за активное участие и эффективное сотрудничество.