STE PECVD200 Установка плазмохимического осаждения диэлектриков в классическом PECVD режиме

Главная Каталог продукции Установки для плазмохимической обработки

Установка STE PECVD200 предназначена для проведения классических процессов плазмохимического осаждения (PECVD) диэлектриков (SiNx, SiO2 и т.п.) в плазме емкостного разряда на пластинах до 200мм. В конструкции установки обеспечена возможность переключения ВЧ-потенциала на диск-душ или рабочий стол.

7×Ø2"
4×Ø3"
1×Ø100мм
1×Ø150мм
1×Ø200мм

КАМЕРА-РЕАКТОР

Предельное остаточное давление в реакторе <5∙10^-3мм рт.ст.

Диск-душ с возможностью подачи ВЧ потенциала

Возможность подачи ВЧ или НЧ смещения

Мощность генератора до 500Вт

Нагрев стола до 450°C

Нагрев стенок реактора

ГАЗОРАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА

6 (12*) газовых линий в коррозионно-стойком исполнении, в т.ч. с байпасами

Отсечной вакуумный клапан

ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА

Система откачки, сконфигурированная с учетом применения установки (турбомолекулярный, форвакуумный спиральный насосы)

СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ

Автоматизация технологического процесса с периодической попеременной подачей газов

Автоматизированная очистка камеры

Программирование и сохранение технологических рецептов

*опция

Неоднородность травления и осаждения ±2% на пластинах Ø100мм
Оптимизированная система газораспределения
Проведение технологического процесса по рецепту
Инсталляция «через стену» чистого помещения
Автоматизированная закрузка пластин
Возможность кассетной загрузки*

__________________________________

*опция