STE PECVD200 Установка плазмохимического осаждения диэлектриков в классическом PECVD режиме

Главная Каталог продукции Установки для плазмохимической обработки пластин

Установка STE PECVD200 сконфигурирована на базе платформы STE ICP200 и предназначена для интенсивных исследований и разработок (R&D).

В STE PECVD200 реализованы современные особенности процессов контролируемого плазмохимического осаждения диэлектриков (SiN_x, SiO₂ и т.д.) в плазме емкостного разряда.

7×Ø2"
4×Ø3"
1×Ø100мм
1×Ø150мм
1×Ø200мм

КАМЕРА-РЕАКТОР

Предельное остаточное давление в реакторе <5∙10^-6мм рт.ст.

Плоский источник индуктивно-связанной плазмы

Возможность подачи ВЧ или НЧ смещения

Мощность ВЧ или НЧ генератора емкостного электрода до 1000 (2000*) Вт

Мощность генератора ICP верхнего электрода (13,56 МГц) до 1000 (3000*) Вт

Нагрев стола до 450°C

Нагрев стенок реактора

ГАЗОРАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА

6 (12*) газовых линий в коррозионно-стойком исполнении, в т.ч. с байпасами

Отсечной вакуумный клапан

ВАКУУМНАЯ СИСТЕМА

Система откачки, сконфигурированная с учетом примменения установки (турбомолекулярный, форвакуумный спиральный насосы)

СИСТЕМА УПРАВЛЕНИЯ

Автоматизация технологического процесса с периодической попеременной подачей газов

Автоматизированная очистка камеры

Программирование и сохранение технологических рецептов

*опция

±2% неоднородность травления и осаждения на пластинах Ø100мм
Оптимизированная система газораспределения
Автоматизированная закрузка пластин
Проведение технологического процесса по рецепту
Инсталляция "через стену" чистого помещения
Возможность кассетной загрузки*

__________________________________

*опция