STE ICP200D Установка плазмохимического осаждения диэлектриков в индуктивно-связанной плазме
Установка STE ICP200D сконфигурирована на базе платформы STE ICP200 и предназначена как для интенсивных исследований и разработок (R&D), так и для серийного выпуска продукции в составе производственно-технологической линии. В STE ICP200D реализованы современные особенности процессов контролируемого плазмохимического осаждения диэлектриков (SiNx, SiO2 и т.д.) в плазме индуктивного разряда. Модернизированный реактор меньшего объема с оптимизированной системой газораспределения позволяет значительно улучшить однородность и воспроизводимость обработки пластин, а также сократить время предварительной откачки. Удобство проведения регламентных работ обеспечивается за счет облегчения доступа ко всем внутренним узлам установки.
*опция
__________________________________ *опция
|
|||||||||