Глубокое плазмохимическое травление кварца

•  Рабочая среда: SF₆/О₂; CF₄/О₂; C₄F₈/О₂
•  Индуктивно-связанная плазма (ICP) + емкостная плазма
•  Применяемая маска: Cr, Ni, Cu.
•  Селективность по маске: 50:1
•  Скорость травления: 0,65мкм/мин 

 

 

 

 

 

Глубокое плазмохимическое травление карбида кремния

 

•  Рабочая среда: SF₆/Ar/O₂
•  Индуктивно-связанная плазма (ICP) + емкостная плазма
•  Применяемая маска: Cr, Ni
•  Скорость травления SiC: 1 мкм/мин 
•  Селективноть по маске: 50:1

Технология вертикальных лазеров (VECSEL) на основе слоистой структуры GaAs/AlGaAs

 

•  Рабочая среда: BCl₃/Ar
•  Индуктивно-связанная плазма (ICP) + емкостная плазма
•  Применяемая маска: фоторезист
•  Селективноть по маске: 15:1
•  Скорость травления: 1 мкм/мин
  
   Технология разработана на оборудовании SemiTEq в лаборатории Квантоворазмерных структур ФТИ им. Иоффе под руководством М.Ю. Задиранова, к.ф.-м.н. (Группа Пост-ростовой обработки)
  
  
  
  

 

Интерферометрический контроль процесса травления  
Устанавливаемый на STE ICP68L лазерный интерферометр позволяет  отследить динамику процесса травления и определить время окончания процесса

Низкотемпературное  плазмохимическое осаждение Si₃N₄

 

• Рабочие газы: SiH₄/Ar/N₂
• Виды плазмы, применяемой в процессе: ICP + емкостная плазма
• Температура процесса: 70ºC
• Скорость роста: 15нм/мин
• Безаммиачная технология