language

STE ICP: Плазмохимическое травление и осаждение

Глубокое плазмохимическое травление кварца

  •  Рабочая среда: SF62; CF42; C4F82
  •  Индуктивно-связанная плазма (ICP) + емкостная плазма
  •  Применяемая маска: Cr, Ni, Cu.
  •  Селективность по маске: 50:1
  •  Скорость травления: 0,65мкм/мин 

 

 

 

 

 

Глубокое плазмохимическое травление карбида кремния

 

  •  Рабочая среда: SF6/Ar/O2
  •  Индуктивно-связанная плазма (ICP) + емкостная плазма
  •  Применяемая маска: Cr, Ni
  •  Скорость травления SiC: 1 мкм/мин 
  •  Селективноть по маске: 50:1









Технология вертикальных лазеров (
VECSEL) на основе слоистой структуры GaAs/AlGaAs

 

  •  Рабочая среда: BCl3/Ar
  •  Индуктивно-связанная плазма (ICP) + емкостная плазма
  •  Применяемая маска: фоторезист
  •  Селективноть по маске: 15:1
  •  Скорость травления: 1 мкм/мин

     Технология разработана на оборудовании SemiTEq в лаборатории Квантоворазмерных структур ФТИ им. Иоффе под руководством М.Ю. Задиранова, к.ф.-м.н. (Группа Пост-ростовой обработки)



 

Интерферометрический контроль процесса травления  
Устанавливаемый на STE ICP68L лазерный интерферометр позволяет  отследить динамику процесса травления и определить время окончания процесса

Низкотемпературное  плазмохимическое осаждение Si3N4

 

  • Рабочие газы: SiH4/Ar/N2
  • Виды плазмы, применяемой в процессе: ICP + емкостная плазма
  • Температура процесса: 70ºC
  • Скорость роста: 15нм/мин
  • Безаммиачная технология