language

STE EB71: Параметры электронно-лучевого напыления

Установка STE EB71 позволяет проводить электронно-лучевое напыление высококачественных тонкопленочных композиций в сверхвысоком вакууме. В рамках технологического тестирования установки в Прикладной лаборатории ЗАО "НТО" были выявлены её основные преимущества и разработы некоторые технологические процессы:

 

 

 

 

 

 

  • Неоднородность толщины наносимого материала менее ± 2% на диаметре держателя пластин (wafer holder) до 180 мм при использовании специально разработанной технологии «маски»
  • Возможность оптимизации расхода материла за счет изменения расстояния подложка-испаритель, в частности, расход золота составляет 3-4 г/мкм при скорости напыления 5 Å/сек и расстоянии испаритель-подложка 250 мм 
  • Значение контактного сопротивления для гетероструктур GaAs/InGaAs/AlGaAs и GaN/AlGaN мощных полевых транзисторов составляет 0.1÷0.25 Ом·мм и 0.3-0.5 Ом·мм, соответственно (после отжига в установке STE RTA100)
  • Скорость напыления Al не менее 60 Å/сек.
  • Скорость напыления W не менее 1 Å/сек.
  • Разработана технология получения прозрачного p-контакта к GaN на основе тонких пленок ITO

Распределение неоднородности толщины от радиуса держателя диаметром 180 мм (позволяет разместить 3 пластины диаметром 3 дюйма) для слоя Ti, полученного на установке STE EB71 (вращение, технология «маски»).