language

MBE STE3N: Особенности роста нитридов III группы

a) Высокотемпературный ростовой манипулятор, обеспечивающий продолжительный рост высококачественных слоев AlN при температуре роста более 1200°С (температура нагревателя более 1350°С) с вращением.
b) Высокотемпературный буферный слой AlN/AlGaN для получения слоев GaN с улучшенным структурным совершенством.
c) Плотность дислокаций в слое GaN, выращенном на положке сапфира (0001) с использованием высокотемпературного буферного слоя AlN (TПОДЛОЖКИ=1100-11500C), сверхрешетки AlGaN/AlN и AlxGa1-xN (x=0.1-0.3) переходных слоев (TПОДЛОЖКИ=900-9200C) понижена до (9-10)×108-2, что сопоставимо с GaN высокого качества, выращенным МОГФЭ, и в несколько раз меньше чем в обычной МЛЭ.
d) Увеличение структурного совершенства привело к значительному увеличению подвижности электронов, которая находится на уровне 600–650 см2.с в слое GaN толщиной 1,5 мкм слаболегированном кремнием до уровня концентрации электронов (3–5).1016 см-3, что сопоставимо с GaN высокого качества, выращенным МОГФЭ.

Карта измерений слоевого сопротивления HEMT-структуры, выращенной на подложке ∅3”.