a) Высокотемпературный ростовой манипулятор, обеспечивающий продолжительный рост высококачественных слоев AlN при температуре роста более 1200°С (температура нагревателя более 1350°С) с вращением.
b) Высокотемпературный буферный слой AlN/AlGaN для получения слоев GaN с улучшенным структурным совершенством.
c) Плотность дислокаций в слое GaN, выращенном на положке сапфира (0001) с использованием высокотемпературного буферного слоя AlN (T_{ПОДЛОЖКИ}=1100-1150⁰C), сверхрешетки AlGaN/AlN и Al_xGa_1-xN (x=0.1-0.3) переходных слоев (T_{ПОДЛОЖКИ}=900-920⁰C) понижена до (9-10)×10⁸ cм^-2, что сопоставимо с GaN высокого качества, выращенным МОГФЭ, и в несколько раз меньше чем в обычной МЛЭ.
d) Увеличение структурного совершенства привело к значительному увеличению подвижности электронов, которая находится на уровне 600–650 см²/В^.с в слое GaN толщиной 1,5 мкм слаболегированном кремнием до уровня концентрации электронов (3–5)^.10¹⁶ см^-3, что сопоставимо с GaN высокого качества, выращенным МОГФЭ.

Карта измерений слоевого сопротивления HEMT-структуры, выращенной на подложке ∅3”.