Результаты измерения толщины слоёв AlAs (a) и GaAs (b) в сверхрешетке GaAs/AlAs 34.3/100 нм методом рентгеновской дифракции на подложке диаметром 2” (отклонение от значения в центре в %).

Результаты измерения содержания Al (a) и толщины (b) слоя AlGaAs 450 нм методом рентгеновской дифракции на подложке диаметром 2” (отклонение от значения в центре в %).

Вольт-фарадная характеристика GaAs-MESFET-структуры. Уровень фонового легирования GaAs <1∙10¹⁴ cм^-3

Карта измерений слоевого сопротивления MESFET-структуры, выращенной на подложке 4’’

Результаты измерений, представленных выше, получены в ростовом отделе ЗАО "Светлана-Рост"