Рост эпитаксиальных гетероструктур на основе GaAs на подложке Ø2’’
Уровень фонового легирования GaAs <1×1014 cм-3 Данные по однородности выращиваемых слоёв Технологические результаты выращивания полупроводниковых гетероструктур на основе GaAs на подложке Ø2’’, полученные на универсальной компактной установке молекулярно-лучевой эпитаксии STE75.
Результаты измерения толщины слоев AlAs (a) и GaAs (б) в сверхрешетке GaAs/AlAs 34,3/100 нм методом рентгеновской дифракции на подложке Ø2” (отклонение от значения в центре в %):
Результаты измерения содержания Al (a) и толщины (б) слоя AlGaAs 450 нм методом рентгеновской дифракции на подложке Ø2” (отклонение от значения в центре в %):
 |
|
- Главная
- О компании
-
Новости
- Итоги участия АО «НТО» в выставке ExpoElectronica 2023
- Приглашаем вас посетить наш стенд на выставке ExpoElectronica
- АО «НТО» приняло участие в Российском форуме «Микроэлектроника 2022»
- ЗАО «НТО» – лауреат Премии ELECTRONICA в категории «Базовые технологии и средства производства электроники»
- Выставка ExpoElectronica 2022. Открыто онлайн голосование
- Форум «Микроэлектроника 2021»
- Выставки ЭкспоЭлектроника и ЭлектронТехЭкспо 2021
- Международный форум "Микроэлектроника 2020"
- V Международный Форум «Микроэлектроника 2019»
- IV Международный семинар по ультрафиолетовым материалам и приборам (IWUMD-IV)
- Выставка VacuumTechExpo 2019
- XXIII Cимпозиум «Нанофизика и наноэлектроника»
- Конференция EuroMBE 2019
- Выставка VacuumTechExpo 2018
- IV Форум регионов России и Беларуси
- Выставка Вакуумтехэкспо 2017
- Конференция EUROMBE 2017
- XXI Cимпозиум «Нанофизика и наноэлектроника»
- Конференция III-N 2017
- Выставка "ВакуумТехЭкспо"
- XX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"
- Поздравляем с наступающим Новым годом и Рождеством!
- ЗАО «НТО» выпустила модернизированную версию установки электронно-лучевого напыления STE EB71
- Усовершенствованная система молекулярно-лучевой эпитаксии SemiTEq STE35
- Премия "Лучший инновационный продукт в сфере высоких технологий»
- Выставка "ВакуумТехЭкспо"
- Выставка "Новая Электроника-2015"
- Европейский семинар по молекулярно-лучевой эпитаксии (EUROMBE 2015)
- Конференция CS International 2015
- Семинар в Дели, Индия
- XIX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"
- Заказ на поставку установки Молекулярно-лучевой эпитаксии в Университет г. Торонто (Канада)
- Новые ICP-RIE, ICP-PECVD и PVD системы SemiTEq для микроэлектроники
- Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"
- Публикация в Compound Semiconductors
- Визит Госсекретаря Союзного государства России и Белоруссии
- Semicon Russia 2013
- EURO MBE 2013
- Открытые инновации 2012
- MBE2012
- XIX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"
- Каталог продукции
-
Прикладная лаборатория
- О Прикладной лаборатории
- Рост эпитаксиальных гетероструктур на основе GaAs на подложке Ø2’’
- Особенности эпитаксиального роста нитридов III группы
- Рост материалов A3B5 для СВЧ-электроники
- Рост лазерных гетероструктур на основе материалов A3B5/А2В6
- Рост материалов A3B5 для интеграции в схемы квантовых вычислений
- Многоуровневая металлизация с использованием установок физического осаждения
- STE EB71: Параметры электронно-лучевого напыления
- STE ICP: Плазмохимическое травление и осаждение
- Услуги и сервис
- Контакты
