language

Наши преимущества

Политика разработок

При разработке продукции мы опираемся на собственный опыт проведения НИОКР в области полупроводниковых технологий, позволяющий оптимизировать технические требования к разрабатываемому технологическому оборудованию, основанные на особенностях и специфике выбранной системы полупроводниковых материалов. Все конструкторские решения проверены и обоснованы технологической практикой.

Вместе с установкой поставляются базовые технологические процессы, обеспечивающие пользователю быстрый выход на современный уровень разработок.

  • Все конструкционные решения оборудования основываются на особенностях материалов
  • Все оборудование содержит активное технологическое know-how
  • Все оборудование поставляется на рынок только после проведения экспериментов на пилотных моделях
  • Все образцы тестируются в Прикладной лаборатории Компании
  • Предоставляется комплексная  техническая и технологическая поддержка

 

Технологическая поддержка

Технологический тренинг персонала Заказчика включен в базовое коммерческое предложение. В качестве дополнительной услуги поставка оборудования может сопровождаться расширенным технологическим тренингом, включающим разработку и постановку клиент-ориентированных техпроцессов.

Комплексные системы

По выбору Заказчика установки могут изготавливаться в нестандартной конфигурации, включающей сверхвысоковакуумное совмещение с другими вакуумными системами, такими как сверхвысоковакуумный туннельный микроскоп, оже-спектрометр и другими вакуумно-аналитическими системами.

Нам доверяют

В 2010 году инфраструктурный проект ЗАО «НТО» был одобрен ОАО «РОСНАНО». Целью проекта стало «Расширение серийного производства и коммерциализация перспективной продукции SemiTEq в части технологического оборудования для молекулярно-пучковой эпитаксии и планарного процессинга».

Часть разработок  компании выполнена по заказу Минобрнауки России в рамках проведения Государственных контрактов №№ 02.447.11.2007,02.467.11.2012, 02.527.12.9008, 02.523.12.3014 и 02.523.11.3019.