Обновленная серия установок STE ICP представлена в двух основных модификациях: STE ICP200E (плазмохимическое травление) и STE ICP200D (плазмохимическое осаждение). Диаметр обрабатываемых пластин – до 200 мм, с возможностью использования образцов произвольной формы, что позволяет применять установки как для прикладных исследований и разработок (R&D), так и для серийного выпуска продукции. Платформа STE ICP разработана с учетом возможности встраивания в кластерную вакуумно-технологическую линию и может быть установлена через стену чистого помещения “through wall“.

Гибкие возможности программного обеспечения позволяют реализовывать все современные технологические процессы, включая осаждение и травление без внесения повреждений в полупроводниковую структуру (“Low Damage Dielectric Deposition and Etching”).