From Techology Vision to
Equipment Powers
ЗАО «НТО» один из ведущих российских
производителей высокотехнологичного
сверхвысоковакуумного оборудования
- Главная
- О компании
-
Новости
- Выставки ЭкспоЭлектроника и ЭлектронТехЭкспо 2021
- Международный форум "Микроэлектроника 2020"
- V Международный Форум «Микроэлектроника 2019»
- IV Международный семинар по ультрафиолетовым материалам и приборам (IWUMD-IV)
- Выставка VacuumTechExpo 2019
- XXIII Cимпозиум «Нанофизика и наноэлектроника»
- Конференция EuroMBE 2019
- Выставка VacuumTechExpo 2018
- IV Форум регионов России и Беларуси
- Выставка Вакуумтехэкспо 2017
- Конференция EUROMBE 2017
- XXI Cимпозиум «Нанофизика и наноэлектроника»
- Конференция III-N 2017
- Выставка "ВакуумТехЭкспо"
- XX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"
- Поздравляем с наступающим Новым годом и Рождеством!
- ЗАО «НТО» выпустила модернизированную версию установки электронно-лучевого напыления STE EB71
- Усовершенствованная система молекулярно-лучевой эпитаксии SemiTEq STE35
- Премия "Лучший инновационный продукт в сфере высоких технологий»
- Выставка "ВакуумТехЭкспо"
- Выставка "Новая Электроника-2015"
- Европейский семинар по молекулярно-лучевой эпитаксии (EUROMBE 2015)
- Конференция CS International 2015
- Семинар в Дели, Индия
- XIX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"
- Заказ на поставку установки Молекулярно-лучевой эпитаксии в Университет г. Торонто (Канада)
- Новые ICP-RIE, ICP-PECVD и PVD системы SemiTEq для микроэлектроники
- Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"
- Публикация в Compound Semiconductors
- Визит Госсекретаря Союзного государства России и Белоруссии
- Semicon Russia 2013
- EURO MBE 2013
- Открытые инновации 2012
- MBE2012
- XIX Симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника"
- Каталог продукции
-
Прикладная лаборатория
- STE EB71: Параметры электронно-лучевого напыления
- Технология субмикронного затвора на GaN-DHFET
- STE ICP: Плазмохимическое травление и осаждение
- МВЕ STE3526: Рост лазерных гетероструктур
- МВЕ STE3526: Рост гетеровалентных квантовых ям
- MBE STE3N: Особенности роста нитридов III группы
- Гетероструктуры на основе GaAs
- Услуги и сервис
- Наши партнеры
- Контакты
